LaoYaoBa는 4일, 미국 Qualcomm이 8월 11일에 미국 로스 앤젤레스에서 차세대 고성능 SoC "Snapdragon 820"
에 대한 자세한 정보를 공개 할 예정이라고 전하고 있다.
올해 3월에 개최 된 "MWC 2015"에서 정식으로 발표 된 Snapdragon 820이었지만, 공개 된 정보는 "Kryo"라는
명칭의 자체 개발 64 bit CPU 코어가 탑재 된다는 점과, 제조는 14내지 16nm의 "FinFET 프로세스"가 사용되는 등
극히 작은 것이었다.
그러나 이번 LaoYaoBa는 8월 11일 로스 앤젤레스에서 개최되는 특설 프레스 컨퍼런스에서 더욱 자세한 정보가 밝혀
질 가능성을 지적하고 있다.
또한 Phone Arena에 따르면, Snapdragon 820은 동작 주파수가 다른 두 Kryo 코어군으로 구성된 "2 클러스터 구조"
쿼드 코어 SoC이며, 2개의 코어 군은 각각 2.2GHz와 1.7GHz로 구동 될 전망이라는 것. 또한 GPU에 채용되는 "Adreno
530"은 650MHz로 구동하고 RAM에는 "LPDDR4 메모리"를 탑재. 또한 "LTE Cat.10"에 대한 대응도 완수된 모양이다.
"Snapdragon 810"의 "발열 문제"로 발단, 지금까지의 견조한 시장 점유율 및 평가에 큰 상처를 받았던 Qualcomm.
최근에는 Snapdragon 820에서는 발열 문제가 완전히 해소 된 것을 지적하는 정보도 전해지고 있고, 또한 전세계의
많은 사용자가 그것이 사실이기를 바라고 있을 것이다.
또한 한때의 정보로는 Snapdragon 820을 탑재 한 단말기를 연내에 등장 할 가능성도 지적되고 있었지만, 현시점에서는
"2016 년까지는 등장하지 않는다"는 견해가 유력시되고 있다.
