KitGuru는 21일, 대만 TSMC가 개발을 진행하고 있는 "5nm" 프로세스의 제조에 있어서, EUV 리소그래피
(극단 자외선 노광) 기술을 이용할 전망이라고 전하고 있다.
EUV를 이용한 리소 그래피 기술은, 미세화의 한계에 직면되고 있는 최근의 반도체 제조 기술의 "구세주"적인
존재로서 주목을 끌어 온 방법이지만, 당초의 기대와는 정반대로, 현재 상태로 머무르고 있고, 실용화에는
이르지 못하고 있었다.
그러나 이번 TSMC의 대표 이사 마크 류 씨가 수지보고 회 장소에서 밝힌 바에 따르면, TSMC는 5nm 공정의
생산에서 마침내 EUV 리소 그래피를 본격적으로 도입 할 계획이라는 것. 또한 "7nm" 프로세스의 제조에
관해서는 종래 기술을 사용하여 수행하지만, EUV를 이용한 7nm 공정의 생산 테스트를 실시 할 예정이라는
사실도 분명히 했다.
또한 EUV 리소 그래피의 주요 장점은 단지 "13.5nm"라는 일반 자외선보다 훨씬 짧은 파장의 빛을 노광에
이용하는 점에 있다. 종래 기술에서는 EUV보다 압도적으로 파장이 긴 자외선을 "패턴"이라는 공정을 여러번
반복(=멀티 패턴)함으로써 빛의 해상도를 향상시키고, 20nm와 16nm, 14nm 프로세스 등 매우 미세한 반도체
의 제조를 가능하게 했었다.
그러나 EUV 리소 그래피에서는 더 미세화 된 반도체의 제조를 가능하게 하는 것 외에 이 멀티 패터닝 공정이
필요없기 때문에 미세화 사이클 자체의 개선과 생산 수율 향상 등의 실현이 필수적이라는 예상도 있다.
KitGuru에 따르면, 현재 TSMC는 세계 반도체 장비 시장 점유율의 대부분을 독점하는 네덜란드 기업 ASML과
파트너십을 맺고, EUV 기술의 개발과 도입에 주력하고 있는 것. 참고로 위의 7nm 공정을 이용한 생산 테스트는
2017~18년에 실시 되고, 2018~19년경에 EUV 리소 그래피에 의한 5nm 공정 시험 생산이 개시 될 전망이다.
그러나 류씨는 이번에 밝힌 계획은 어디까지나 "예정"이며 향후 상황의 추이에 따라 계획이 변경 될
가능성도 있음을 천명했다. 예정대로 계획이 진행할지 여부는 알 수 없지만, 어쨌든 빨라도 지금부터 3년 앞의
이야기이므로, 향후 TSMC에서 발표나 보고를 주시하고 있으면 되겠다.
